- secondary breakdown
- 1) Автоматика: вторичный пробой2) Макаров: тепловой пробой p-n-перехода
Универсальный англо-русский словарь. Академик.ру. 2011.
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Secondary breakdown — is a catastrophic thermal failure mechanism of semiconductor devices, supposed to be the result of current concentration ( current crowding ) which then causes the junction temperature locally to exceed the maximum limit. It is an independent… … Wikipedia
Breakdown voltage — of an Insulator is the minimum voltage that causes a portion of an insulator to become electrically conductive. Breakdown Voltage of a diode is the minimum reverse voltage to make the diode conduct in reverse. Some devices (such as TRIACs) also… … Wikipedia
Mental breakdown — Nervous breakdown redirects here. For other uses, see Nervous breakdown (disambiguation). Mental breakdown (also known as a nervous breakdown) is a non medical term used to describe an acute, time limited phase of a specific disorder that… … Wikipedia
Laser-induced breakdown spectroscopy — (LIBS) is a type of atomic emission spectroscopy which utilises a highly energetic laser pulse as the excitation source. LIBS can analyse any matter regardless of its physical state, be it solid, liquid or gas. Even slurries, aerosols, gels, and… … Wikipedia
Primary and secondary brain injury — are ways to classify the injury processes that occur in brain injury. In traumatic brain injury (TBI), primary injury occurs during the initial insult, and results from displacement of the physical structures of the brain. On the other hand,… … Wikipedia
Lorne Park Secondary School — Infobox Education in Canada name= Lorne Park Secondary School motto= Portam Futuro Aperimus motto translation = Opening the Doors to the Future streetaddress= 1324 Lorne Park Road city= Mississauga province= Ontario postalcode= L5H 3B1 areacode=… … Wikipedia
Bipolar junction transistor — BJT redirects here. For the Japanese language proficiency test, see Business Japanese Proficiency Test. PNP … Wikipedia
Видлар, Роберт — Роберт Джон Видлар Robert John Widlar Видлар у фотошаблона LM10 В … Википедия
Bipolartransistor/Mathematische Beschreibung — Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige weitere… … Deutsch Wikipedia
Gleichstromverstärkungsfaktor — Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige weitere… … Deutsch Wikipedia
Mathematische Beschreibung des Bipolartransistors — Das physikalische Verhalten des Bipolartransistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Bipolartransistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige … Deutsch Wikipedia